采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm（）

A.0.4-0.5μm

B.0.4-1.0μm

C.0.5-1.0μm

D.0.5-1.5μm

A.0.4-0.5 μm

B.0.4-1.0 μm

C.0.5-1.0 μm

D.0.5-1.5 μm

A.P型硅

B.P型锗

C.N型硅

D.N型锗

A.P型硅

B.P型锗

C.N型硅

D.N型锗

A.N型硅材料普通管

B.P型硅材料稳压管

C.N型锗材料普通管

D.P型锗材料稳压管

A.PIN光电二极管

B.半导体激光器

C.APD雪崩光电二极管

D.FET晶体管

A.半导体激光器（LD）

B.半导体发光二极管（LED）

C.光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）

D.三级管

A.波长响应特性

B.量子效率和光谱特性

C.响应时间和频率特性

D.等效噪声功率

A.在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4V

B.硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2V

C.电位降落的方向和内电场方向相反

D.硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V