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[单选题]

CMOS反相器基本电路包括()

A.P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管

C.P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管

D.P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

答案
A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
更多“CMOS反相器基本电路包括()”相关的问题

第1题

开启电压是增强型MOS管的参数,N沟道MOS管开启电压UGS(TH)为正值,P沟道MOS管开启电压UGS(TH)为负值()

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第2题

绝缘栅型场效应管可分为()

A.N 沟道耗尽型,P 沟道耗尽型,N 沟道增强型,P 沟道增强型

B.N 沟道增强型,P 沟道增强型

C.N 沟道增强型,P 沟道耗尽型

D.N 沟道耗尽型,P 沟道耗尽型

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第3题

MOS管多路电流源,可通过设计不同MOS管的沟道尺寸,实现不同的多路电流输出()
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第4题

若赖以型N沟道MOS管Ucs大于0,则其输入电阻会明显变小()
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第5题

对于绝缘栅场效应管,无论增强型还是耗尽型,只要是N沟道器件,UDS应为负值,衬底接最低电位,UGS越向正值方向增大,硒越小()
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第6题

N沟道增强型MOSFET有三个电极()

A.源极

B.基极

C.栅极

D.漏极

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第7题

热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能()
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第8题

施工单位按设计要求挖好沟道后,应联系工程主管部门组织等验收,验收合格后才能进行排管或沟道的施工()

A.沟道垂直度、深度

B.沟道垂直度、平整度

C.沟道平整度、坡度

D.沟道深度、平整度

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第9题

当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会减小,当VGD减小至开启电压VT时产生预夹断()
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第10题

电缆敷设在道路、铁路、各种管道、沟道交叉处时必须穿保护管()
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